Buffalo muestra sus módulos de memoria RAM con 8GB de capacidad

El fabricante Buffalo ha mostrado sus nuevos módulos de memoria RAM DDR3 con 8GB de capacidad. Estarán disponibles en formato DIMM y SO-DIMM.

Muchos otros fabricantes ya ha mostrado sus módulos de memoria de alta capacidad, Buffalo no se queda atrás y también hace lo propio con sus dos nuevos módulos de memoria RAM DRR3 en formato DIMM y SO-DIMM.

Tanto para la versión en formato DIMM como para la SO-DIMM tienen unas velocidades de 1.333Mhz, sus latencias se sitúan en CL9 y el voltaje necesario para su correcto funcionamiento es de 1.5V.

Con la llegada de estos módulos de alta capacidad, ampliar un ordenador de sobremesa o portátil es más cómodo dado que en un solo modulo tenemos más capacidad. Aunque recordad que antes de hacer una actualización de memoria RAM, es recomendable que miréis la web del fabricante para ver el listado de memorias compatibles y su capacidad máxima.

Por ahora han sido presentadas en Japón y su precio se sitúa en 26,670 JPY, unos $341.6 al cambio.

Fuente: TechpowerUp.

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G.Skill lanza las memorias de mayor capacidad, más rápidas y más caras del mercado

Por si los 3 kits que ya presentó hace poco, G.Skill ha desvelado otro más para añadir a su catálogo de memorias Quad-Channel diseñadas para la nueva plataforma Sandy Bridge-E Intel LGA2011.

Este nuevo kit está compuesto por 8 módulos de 8 Gb de capacidad cada uno, haciendo un total de 64Gb de memoria DDR3, certificada para funcionar a una velocidad asombrosa de 2400 Mhz con unas latencias de 10-12-12-31. Soportan XMP 1.3 y aseguran la máxima estabilidad.

Este nuevo kit forma parte de la serie RipjawsZ y ya está disponible para reservar en el sitio web de G.Skill a un precio de (agarraos bien a la silla) 3.199 euros.

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Intel y Micron crean un chip de memoria NAND Flash con 128GB de capacidad

Intel y Micron crean un chip de memoria NAND flash de 128GB fabricado en 20nm, o lo que es lo mismo,  el tamaño de una uña.

En abril, IMTF consiguió construir chips de 64GB y hoy anuncian que este último entrará en fase de producción masiva. Este nuevo chip de 128Gb cumple con la especificación ONFI 3.0 y alcanza los 333 Megatransfers por segundo (MT/s). El de 128GB es más difícil de producir porque su tamaño de paginación y por tanto el tamaño de los sectores es distinto y necesita otros controladores y otro firmware, por lo que su llegada será en 2013, el chip de 128Gb utiliza páginas de 16KB frente a los 8KB del de 64GB.

Gracias a estos chips se podrán fabricar SSD de hasta 2TB. De este cambio a 20nm destaca que no se pierde vida útil respecto al proceso anterior. IMFT dice que este proceso mantiene los 5.000 ciclos de borrado que tenían los chips de 25nm. Con esta mejora se espera también un descenso en el precio.

Fuente: Intel

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