El fabricante Buffalo ha mostrado sus nuevos módulos de memoria RAM DDR3 con 8GB de capacidad. Estarán disponibles en formato DIMM y SO-DIMM.Muchos otros fabricantes ya ha mostrado sus módulos de memoria de alta capacidad, Buffalo no se queda atrás y también hace lo propio con sus dos nuevos módulos de memoria RAM DRR3 en formato DIMM y SO-DIMM.Tanto para la versión en formato DIMM como para la SO-DIMM tienen unas velocidades de 1.333Mhz,...
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miércoles, 28 de diciembre de 2011
viernes, 16 de diciembre de 2011
G.Skill lanza las memorias de mayor capacidad, más rápidas y más caras del mercado
Por si los 3 kits que ya presentó hace poco, G.Skill ha desvelado otro más para añadir a su catálogo de memorias Quad-Channel diseñadas para la nueva plataforma Sandy Bridge-E Intel LGA2011.Este nuevo kit está compuesto por 8 módulos de 8 Gb de capacidad cada uno, haciendo un total de 64Gb de memoria DDR3, certificada para funcionar a una velocidad asombrosa de 2400 Mhz con unas latencias de 10-12-12-31. Soportan XMP 1.3 y aseguran...
lunes, 12 de diciembre de 2011
Intel y Micron crean un chip de memoria NAND Flash con 128GB de capacidad
Intel y Micron crean un chip de memoria NAND flash de 128GB fabricado en 20nm, o lo que es lo mismo, el tamaño de una uña.En abril, IMTF consiguió construir chips de 64GB y hoy anuncian que este último entrará en fase de producción masiva. Este nuevo chip de 128Gb cumple con la especificación ONFI 3.0 y alcanza los 333 Megatransfers por segundo (MT/s). El de 128GB es más difícil de producir porque su tamaño de...
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